欢迎光临能源世界网   设为首页 | 加入收藏夹 | 合作项目
网站首页 | 能源要闻 | 电力行业 | 煤炭行业 | 油气行业 | 节能环保 | 能源设备 | 展会资讯 | 供求信息 | 新兴能源 | 联系我们
通知公告 | 政策信息 | 特别报道 | 专家介绍 | 能源世界 | 推荐单位 | 能源科技 | 杂志概况 | 入会申请 | 能源世界理事会 | 友情链接
 
公告 2026(第十三届)中国国际石墨烯创新大会 | 2026第二届新型储能泰山发展大会暨储能产业与技术展 | 第二十三届中国国际电力产业博览会暨绿色能源装备博览会 | Fac Tec China电子工厂设施展 | IOTE 2026 第二十五届国际物联网展・深圳站 展会
 站内搜索:
 
 
杂志概况 更多>>
《能源世界》杂志简介
《能源世界》编辑委员会
《能源世界》顾问委员会
《能源世界》编辑部联系方式
 
供求信息 更多>>
  供应信息
  求购信息
  代理信息
  合作信息
 
品牌推荐 更多>>
首页 >> 能源要闻 >> 颠覆性技术有望改变未来五年尖端芯片制造方式
 
颠覆性技术有望改变未来五年尖端芯片制造方式
来源:科技日报 时间:2026/7/13 
芯片是全球人工智能(AI)产业与全球经济的基石,堪称当今世界最具战略意义的技术之一。然而,全球芯片供应链却脆弱而集中,被少数几家巨头牢牢把持。

美国《福布斯》双周刊网站在近期报道中指出,这种既不高效也不稳定的市场结构,为那些敢于颠覆格局的创业者和技术人员带来巨大机遇。随着新兴技术不断崛起,全球尖端芯片制造方式有望在2030年迎来巨变。

先进芯片生产集中且脆弱

AI技术热潮翻涌,对尖端芯片的需求旺盛,但全球芯片供应仍受限于几家公司的技术和产能。

最典型的例证便是光刻机。多年来,受摩尔定律驱动,芯片上的晶体管越做越小,如今已窄至几个硅原子。要精准刻画如此细微的晶体管,必须用到极短波长的光。历经数十年演进,2019年,行业正式从波长193纳米的深紫外光,切换至波长仅13.5纳米(约50个硅原子宽度)的极紫外(EUV)光。

当前,最先进芯片的生产仰仗荷兰ASML公司的EUV光刻机。这种复杂机器需要精密的反射镜、温度高达40万摄氏度的等离子体,以及每秒发射5万次的高功率激光,整机制造周期长达两年,安装更需250名工程师历时6个月协同完成,单台售价高达4亿美元。正因如此复杂与昂贵,EUV光刻机年产量极低,2023年53台,2024年44台,2025年也仅48台。

但这种垄断能维持多久?回望科技史,从施乐到IBM,再到AT&T,那些看似不可战胜的巨头,最终无不受到新兴企业与颠覆性技术的冲击。后来者凭借更低的成本、更充裕的供应和强大的迭代能力,一次次在被封锁的市场中杀出一条血路。

这些颠覆与创新的故事,也将在芯片行业重新上演,如今已初现端倪。

新兴光刻技术竞相“绽放”

EUV光刻虽是当下主流,却并非将微小晶体管“画”在硅片上的唯一路径。一批着眼于未来的光刻新技术,正蓄势待发。它们有望替代EUV光刻,重塑尖端芯片的制造方式。

率先登场的是原子光刻。顾名思义,它抛开“光”改用原子束在硅片上蚀刻极微小的图案。一旦成功,它能将特征尺寸在EUV光刻的基础上再缩小一至两个数量级。当EUV逼近物理极限,原子光刻却能让芯片设计师在未来数十年继续微缩晶体管。更诱人的是,原子光刻机的成本、体积和能耗仅为EUV光刻机的十分之一,零件数量更是锐减至百分之一,供应链也大为简化,堪称是一种颠覆性技术。

不过,原子光刻技术仍有一系列科学、工程与制造难题待解。

挪威初创公司Lace Lithography正全力推动其商业化,其技术旨在利用氦原子束代替光。该公司已获得Atomico和微软等公司的4000万美元风投,并于近期发表了详述技术路径的同行评审论文,计划在2029年前将原子光刻技术部署到芯片制造设施中。

另一值得关注的前沿方案是X射线光刻。它依旧沿用“光”的范式,却将其推向极致:X射线在电磁波谱中比极紫外光更靠外,波长更短(可低于1纳米),能量更强,理论上能刻画更微小的晶体管。迄今无人证明X射线光刻机能以足够低的成本和足够高的产量实现商业化。

但已有少数资金雄厚、积淀深厚的团队开始尝试。美国初创公司Substrate声称正开发X射线光刻机,近期已融资1亿美元,估值达10亿美元。与ASML向代工厂出售机器不同,Substrate的目标是成为美国领先的芯片制造商。

该领域另一个参与者是xLight,其由前英特尔首席执行官帕特·基辛格担任主席。xLight获得美国政府的大力支持,包括近期1.5亿美元的注资。与Substrate的颠覆路线不同,xLight寻求与现有生态和谐共存,开发能融入而非取代ASML等公司架构的技术。

来自中国的力量同样在挑战EUV的统治。上个月,华为宣布研发出一种新型半导体架构,无需极紫外光刻便可制造尖端AI芯片。其思路并非进一步微缩晶体管尺寸,而是重新构思芯片布局,以优化数据吞吐速度。该技术虽然尚处早期,却折射出一个更宏大的趋势,预计将成为未来芯片制造业创新的关键驱动力。

全产业垂直整合蓄势待发

对全球芯片产业更具颠覆意味的,或许是埃隆·马斯克着力打造的Terafab项目。这是一个由其旗下特斯拉、SpaceX、xAI联合英特尔共同推进的超级芯片制造计划,核心目标是在美国得克萨斯州建设全球最大芯片工厂,实现每年足以支撑1太瓦(1万亿瓦)AI算力的产能,以破解其商业帝国在AI、自动驾驶、机器人及太空计算等领域面临的芯片短缺困境。据马斯克估算,目前全球所有芯片制造设施的总产出,仅能满足其公司最终所需算力的约2%。

Terafab项目于2026年3月正式启动,预计年底试产,2028年进入量产阶段。当前芯片价值链极度分散,Terafab则计划将芯片设计、掩模制造、晶圆加工、先进封装与测试垂直整合起来,这无疑将彻底颠覆芯片行业的现行运作模式。

不过,Terafab还需跨越技术门槛、建设周期、资金投入和商业回报等多重障碍。

AI的世界,最不缺少的就是传奇。未来5年,全球芯片乃至半导体生态,有望迎来天翻地覆的变化。
责任编辑:myadmin
上一条: “十五五”碳达峰行动方案发布电新上半年业绩前瞻 | 投研报告
下一条: 新型电网是张什么网,怎么建
 
中国电力企业联合会 | 中国煤炭工业协会 | 中国石油和化学工业联合会 | 中国节能协会 | 中国物资再生协会 | 中国风能协会 | 中国节能协会节能服务产业委员会
 
 
联系我们  |  合作项目  |  招聘信息  |  入会申请  |  关于我们  |  版权声明  |  友情链接
Copyright@ 2003-2007 NY21.CN 能源世界网 京ICP备20001758号 京公网安备11011102000836号
电话:010-68035565 E-mail:nysj21@126.com QQ:769766878